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PEMZ7,115、PEMZ7,315对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PEMZ7,115 PEMZ7,315

描述 SOT-666 NPN+PNP 12V 0.5ASOT-666 NPN+PNP 12V 0.5A

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 6 6

封装 SOT-666-6 SOT-666

频率 - 420 MHz

耗散功率 300 mW 0.3 W

击穿电压(集电极-发射极) 12 V 12 V

最小电流放大倍数(hFE) 200 @10mA, 2V 200 @10mA, 2V

最大电流放大倍数(hFE) - -

额定功率(Max) 300 mW 300 mW

工作温度(Max) 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ -

耗散功率(Max) 300 mW 300 mW

极性 NPN, PNP NPN+PNP

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A

直流电流增益(hFE) 200 -

长度 - -

宽度 - -

高度 0.6 mm -

封装 SOT-666-6 SOT-666

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 -

ECCN代码 - -