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BD238STU、BDW63C-S、BD238对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BD238STU BDW63C-S BD238

描述 ON Semiconductor BD238STU , PNP 晶体管, 2 A, Vce=80 V, HFE:25, 3 MHz, 3引脚 TO-126封装TO-220 NPN 100V 6ASTMICROELECTRONICS  BD238  单晶体管 双极, PNP, 80 V, 25 W, 2 A, 40 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Bourns J.W. Miller (伯恩斯) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

引脚数 3 - 3

极性 - NPN PNP, P-Channel

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 100 V 80 V

集电极最大允许电流 - 6A -

最小电流放大倍数(hFE) 25 @1A, 2V 750 @2A, 3V 25 @1A, 2V

额定功率(Max) 25 W 2 W 25 W

频率 3 MHz - 3 MHz

针脚数 3 - 3

耗散功率 25 W - 25 W

直流电流增益(hFE) 25 - 40

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ - 65 ℃

耗散功率(Max) 25 W - 25000 mW

额定电压(DC) - - -100 V

额定电流 - - -2.00 A

额定功率 - - 25 W

增益频宽积 - - 3 MHz

封装 TO-126-3 TO-220-3 TO-126-3

长度 8 mm - 7.8 mm

宽度 3.25 mm - 2.7 mm

高度 11 mm - 10.8 mm

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon - Silicon

产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - -