IRF8707TRPBF、SI4386DY-T1-E3、FDS6690A对比区别

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型号 IRF8707TRPBF SI4386DY-T1-E3 FDS6690A

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8Pin SOIC T/RSI4386DY-T1-E3 编带FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS6690A  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 30 V, 12.5 mohm, 10 V, 1.9 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 11.0 A

针脚数 - - 8

漏源极电阻 17.5 mΩ 7 mΩ 12.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 3.1 W 2.5 W

阈值电压 - - 1.9 V

输入电容 760pF @15V - 1.21 nF

栅电荷 - - 12.0 nC

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

漏源击穿电压 - - 30.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 16.0 A 11.0 A

上升时间 - 9 ns 5.00 ns

输入电容(Ciss) 760pF @15V(Vds) - 1205pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1.47 W 1 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 3100 mW 2.5W (Ta)

下降时间 - 10 ns -

产品系列 IRF8707 - -

长度 5 mm - 5 mm

宽度 - - 4 mm

高度 1.5 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99