IR2101SPBF、IR2183SPBF、IR2101S对比区别

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型号 IR2101SPBF IR2183SPBF IR2101S

描述 INFINEON  IR2101SPBF  芯片, MOSFET驱动器 高边&低边INFINEON  IR2183SPBF  双路驱动器, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 2.3A输出, 220ns延迟, SOIC-8600V High and Low Side Driver IC with typical 0.21A source and 0.36A sink currents in 8 Lead SOIC package for IGBTs and MOSFETs. Also available in 8 Lead PDIP.

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 10.0V (min) 10.0V (min) 20.0V (max)

工作电压 10V ~ 20V - -

上升/下降时间 100ns, 50ns 40ns, 20ns 100ns, 50ns

输出接口数 2 2 2

输出电流 210 mA 1.4.2.3 A -

通道数 2 2 -

针脚数 8 8 -

耗散功率 625 mW 625 mW -

静态电流 270 µA 1 mA -

上升时间 170 ns 40 ns -

下降时间 90 ns 20 ns -

下降时间(Max) 90 ns 35 ns -

上升时间(Max) 170 ns 60 ns -

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ -

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW -

电源电压 10V ~ 20V 10V ~ 20V 10V ~ 20V

电源电压(Max) 20 V 20 V -

电源电压(Min) 10 V 10 V -

输出电压 - 10.20 V ≤20.0 V

产品系列 - - IR2101

额定功率 - 625 mW -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2018/06/27 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -