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D64DV5、KS524505、MG50G1BL3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 D64DV5 KS524505 MG50G1BL3

描述 Power Bipolar Transistor, 50A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 PinNPN 600V 50APower Transistor Module

数据手册 ---

制造商 Harris Powerex Toshiba (东芝)

分类 IGBT晶体管

基础参数对比

封装 TO-204AE - -

封装 TO-204AE - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 RoHS Compliant - -

含铅标准 Lead Free - -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V -

集电极最大允许电流 - 50A -