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7006S55JI、7006S55PFG、IDT7006S35J对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 7006S55JI 7006S55PFG IDT7006S35J

描述 静态随机存取存储器 IDTSRAM Chip Async Dual 5V 128Kbit 16K x 8 55ns 64Pin TQFP高速16K ×8双端口静态RAM HIGH-SPEED 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM

数据手册 ---

制造商 Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

封装 PLCC-68 QFP PLCC-68

引脚数 68 - -

封装 PLCC-68 QFP PLCC-68

长度 24 mm - -

宽度 24 mm - -

高度 3.63 mm - -

厚度 3.63 mm - -

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tube, Rail - Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

存取时间 55 ns - -

工作温度(Max) 85 ℃ - -

工作温度(Min) -40 ℃ - -

电源电压 4.5V ~ 5.5V - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ - -