IRF5305、IRF5305PBF、2SJ553L-E对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF5305 IRF5305PBF 2SJ553L-E

描述 TO-220AB P-CH 55V 31AINFINEON  IRF5305PBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -31 A, -55 V, 60 mohm, -10 V, -4 V硅P沟道MOS场效应晶体管 Silicon P Channel MOS FET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 3 3 -

封装 TO-220 TO-220-3 -

额定电压(DC) -55.0 V - -

额定电流 -31.0 A - -

漏源极电阻 60.0 mΩ 0.06 Ω -

极性 P-Channel P-Channel -

耗散功率 110 W 110 W -

产品系列 IRF5305 - -

漏源极电压(Vds) 55.0 V 55 V -

漏源击穿电压 -55.0 V 55 V -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

连续漏极电流(Ids) 31.0 A 31A -

上升时间 66 ns 66 ns -

输入电容(Ciss) 1200pF @25V(Vds) 1200pF @25V(Vds) -

下降时间 63 ns 63 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 110000 mW 110W (Tc) -

额定功率 - 110 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 1200 pF -

额定功率(Max) - 110 W -

封装 TO-220 TO-220-3 -

长度 - 10.54 mm -

宽度 - 4.69 mm -

高度 - 8.77 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free