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W631GU8KB-15、W631GU8KB12I、W631GU8KB-12对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 W631GU8KB-15 W631GU8KB12I W631GU8KB-12

描述 1G DDR3L SDRAM 1.35V X8 667MHz1G DDR3L SDRAM 1.35V X8 800MHz I1G DDR3L SDRAM 1.35V X8 800MHz

数据手册 ---

制造商 Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份) Winbond Electronics (华邦电子股份)

分类 存储芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

引脚数 - - 78

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 TFBGA-78

位数 - - 8

工作温度(Max) - - 95 ℃

工作温度(Min) - - 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V 1.283V ~ 1.45V

封装 TFBGA-78 TFBGA-78 TFBGA-78

工作温度 0℃ ~ 95℃ -40℃ ~ 95℃ 0℃ ~ 95℃

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tray - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅

ECCN代码 - - EAR99