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STB76NF75、STB76NF80、SPB80N08S2L-07对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB76NF75 STB76NF80 SPB80N08S2L-07

描述 80A,75V,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STB76NF80  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0095 ohm, 10 V, 3 V的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

引脚数 3 3 -

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 80.0 A

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300W (Tc)

输入电容 - - 6.82 nF

栅电荷 - - 233 nC

漏源极电压(Vds) 75 V 80 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 80A - 80.0 A

输入电容(Ciss) 3700pF @25V(Vds) 3700pF @25V(Vds) 6820pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300W (Tc)

上升时间 100 ns 100 ns -

下降时间 30 ns 30 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.0095 Ω -

阈值电压 - 3 V -

额定功率(Max) - 300 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -