BUK7608-55A、STB140NF55T4、STB60N55F3对比区别

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型号 BUK7608-55A STB140NF55T4 STB60N55F3

描述 NXP  BUK7608-55A  晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 VN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-404 TO-263-3 TO-263-3

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 8 mΩ 0.0065 Ω 8.5 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 254 W 300 W 110 W

阈值电压 3 V 3 V 4 V

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A 56.0 A, 80.0 A

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

额定电压(DC) - 55.0 V -

额定电流 - 80.0 A -

通道数 - 1 1

漏源击穿电压 - 55.0 V 55 V

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

上升时间 - 150 ns 50 ns

输入电容(Ciss) - 5300pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 300 W 110 W

下降时间 - 45 ns 11.5 ns

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 110W (Tc)

封装 SOT-404 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.4 mm 10.75 mm

宽度 - 9.35 mm 10.4 mm

高度 - 4.6 mm 4.6 mm

产品生命周期 Unknown Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Exempt RoHS Compliant RoHS Compliant

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

含铅标准 - Lead Free Lead Free

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

ECCN代码 - - EAR99