CY7C1381D-100BZI、CY7C1381D-100BZIT、CY7C1381D-100AXC对比区别
型号 CY7C1381D-100BZI CY7C1381D-100BZIT CY7C1381D-100AXC
描述 18兆位（ 512K的× 36/1米× 18 ）流过SRAM 18 Mbit (512 K × 36/1 M × 18) Flow Through SRAM静态随机存取存储器 18Mb 100Mhz 512Kx36 Flow-Thru 静态随机存取存储器18兆位（ 512K ×36 / 1M ×18 ）流通型SRAM 18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Flow-Through SRAM
数据手册 ---
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯)
分类 RAM芯片RAM芯片存储芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 165 - 100
封装 FBGA-165 FBGA-165 TQFP-100
频率 - - 100 MHz
电源电压(DC) - - 3.30 V, 3.60 V (max)
时钟频率 - - 100 MHz
位数 36 - 36
存取时间 8.5 ns 8.5 ns 8.5 ns
内存容量 - - 2250000 B
存取时间(Max) 8.5 ns - 8.5 ns
工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 70 ℃
工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ 0 ℃
电源电压 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V 3.135V ~ 3.6V
电源电压(Max) 3.6 V - -
电源电压(Min) 3.135 V - -
高度 0.89 mm - 1.4 mm
封装 FBGA-165 FBGA-165 TQFP-100
工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃
产品生命周期 Unknown Unknown Unknown
包装方式 Tray Tape & Reel (TR) Tray
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
ECCN代码 3A991.b.2.a - -