L6569D013TR、L6571BD、L6569对比区别

高亮显示差异参数

型号 L6569D013TR L6571BD L6569

描述 STMICROELECTRONICS  L6569D013TR  驱动器, MOSFET, 半桥, 10V-16.6V电源, 高电压轨高达600V, SOIC-8STMICROELECTRONICS  L6571BD  双功率芯片, 半桥+振荡器+DDTIM, 10V-16.6V电源, 270mA输出, SOIC-8STMICROELECTRONICS  L6569  双功率芯片, 半桥, 10V-16.6V电源, 270mA输出, DIP-8

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

频率 0.2 MHz - 0.2 MHz

电源电压(DC) 10.0V (min) - 16.6V (max)

输出接口数 2 2 2

输出电压 - 618 V 618 V

输出电流 - - 175 mA

供电电流 25.0 mA 25.0 mA 25.0 mA

通道数 - - 2

针脚数 8 8 8

输出电压(Max) - 618 V 618 V

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V 10V ~ 16.6V

电源电压(Max) 16.6 V 16.6 V 16.6 V

电源电压(Min) 10 V 10 V 10 V

长度 - 5 mm 10.92 mm

宽度 - 4 mm 6.6 mm

高度 - 1.25 mm 3.32 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 DIP-8

工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Each Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -