锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IRF7907PBF、STS8DNF3LL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7907PBF STS8DNF3LL

描述 Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8Pin SOIC TubeSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8

数据手册 --

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - -

针脚数 - -

漏源极电阻 9.8 mΩ 0.02 Ω

极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W 2 W

阈值电压 1.8 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 11.0 A 8.00 A

输入电容(Ciss) 850pF @15V(Vds) 800pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 1.6 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW

额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V

额定电流 9.10 A 8.00 A

漏源击穿电压 - 30.0 V

栅源击穿电压 - ±16.0 V

上升时间 14.0 ns 32 ns

下降时间 - 11 ns

产品系列 IRF7907 -

输入电容 1.79 nF -

栅电荷 14.0 nC -

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC -