IRF7907PBF、STS8DNF3LL对比区别
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 9.1A/11A 8Pin SOIC TubeSTS8DNF3LL 系列 双 N 沟道 30 V 0.02 Ω 12.5 nC STripFET™ II Mosfet- SOIC-8
数据手册 --
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - -
针脚数 - -
漏源极电阻 9.8 mΩ 0.02 Ω
极性 N-Channel, Dual N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 2 W 2 W
阈值电压 1.8 V 1 V
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 11.0 A 8.00 A
输入电容(Ciss) 850pF @15V(Vds) 800pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 1.6 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2000 mW
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V
额定电流 9.10 A 8.00 A
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±16.0 V
上升时间 14.0 ns 32 ns
下降时间 - 11 ns
产品系列 IRF7907 -
输入电容 1.79 nF -
栅电荷 14.0 nC -
长度 - -
宽度 - -
高度 - -
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2014/12/17 2015/12/17
REACH SVHC标准 No SVHC -