IRF540ZPBF、IPP50CN10N G、STP30NF10对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF540ZPBF IPP50CN10N G STP30NF10

描述 INFINEON  IRF540ZPBF  晶体管, MOSFET, 汽车, N沟道, 36 A, 100 V, 26.5 mohm, 10 V, 4 VINFINEON IPP50CN10N G MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 100V, 38mohm, 10V, 3VSTMICROELECTRONICS  STP30NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 35 A, 100 V, 45 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定功率 92 W - 115 W

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.0265 Ω 0.038 Ω 0.045 Ω

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 92 W 44 W 115 W

阈值电压 4 V 3 V 3 V

输入电容 1770pF @25V 1.09 nF -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - 100 V

连续漏极电流(Ids) 36A 20.0 A 35.0 A

上升时间 51 ns 4 ns 40 ns

热阻 1.64℃/W (RθJC) - -

正向电压(Max) 1.3 V - -

输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 1090pF @50V(Vds) 1180pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 92 W 44 W 115 W

下降时间 39 ns 3 ns 10 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 92W (Tc) 44000 mW 115W (Tc)

额定电压(DC) - 100 V 100 V

额定电流 - 100 A 35.0 A

通道数 - - 1

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

栅电荷 - 16.0 nC -

长度 10.54 mm - 10.4 mm

宽度 4.69 mm - 4.6 mm

高度 8.77 mm - 9.15 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

ECCN代码 - - EAR99