STB160N75F3、BUK664R8-75C,118、IRF3808SPBF对比区别

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型号 STB160N75F3 BUK664R8-75C,118 IRF3808SPBF

描述 N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RN沟道 75V 106A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦) International Rectifier (国际整流器)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 330 W 263 W 200 W

漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75 V

连续漏极电流(Ids) 60.0 A - 106 A

上升时间 65 ns 65 ns 140 ns

输入电容(Ciss) 6750pF @25V(Vds) 11400pF @25V(Vds) 5310pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 330 W 263 W 200 W

下降时间 15 ns 141 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 330W (Tc) 263W (Tc) -

额定电压(DC) - - 75.0 V

额定电流 - - 106 A

漏源极电阻 - - 7 mΩ

产品系列 - - IRF3808S

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 5310pF @25V

漏源击穿电压 - - 75 V

长度 10.75 mm - 10.67 mm

宽度 10.4 mm - -

高度 4.6 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2014/12/17