PD20015C、PD20015S-E、PD20015-E对比区别

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型号 PD20015C PD20015S-E PD20015-E

描述 RF功率晶体管， LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST familyRF功率晶体管， LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST familyRF功率晶体管， LDMOST家庭 RF power transistor, LdmoST family

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管MOS管

引脚数 3 3 3

封装 M-243 PowerSO-10 PowerSO-10RF

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

频率 2 GHz 2 GHz 2 GHz

额定电流 7 A - 7 A

耗散功率 93000 mW 79000 mW 79 W

输出功率 15 W 15 W 15 W

增益 11 dB 11 dB 11 dB

测试电流 350 mA 350 mA 350 mA

输入电容(Ciss) 49pF @12.5V(Vds) 55pF @12.5V(Vds) 55pF @12.5V(Vds)

工作温度(Max) 200 ℃ 165 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 93000 mW 79000 mW 79000 mW

额定电压 40 V 40 V 40 V

针脚数 - - 3

漏源极电压(Vds) - - 40 V

漏源击穿电压 - - 40 V

封装 M-243 PowerSO-10 PowerSO-10RF

长度 - - 7.5 mm

宽度 - - 9.4 mm

高度 - 3.5 mm 3.5 mm

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

工作温度 - - -65℃ ~ 165℃

ECCN代码 - - EAR99