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LM258DT、LM358DT、LM258D对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 LM258DT LM358DT LM258D

描述 LM158,LM258,LM358,低功率双路运算放大器,具有低输入偏置电流LM158、LM258、LM358 运算放大器包含两个独立、高增益、内部频率补偿电路。 在线性模式下,输入共模电压范围包含接地,且输出电压还可摆幅至接地。设计用于通过单电源工作 大直流电压增益:100 dB 宽带宽(单位增益):1.1 MHz ### 运算放大器,STMicroelectronicsSTMICROELECTRONICS  LM358DT  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚STMICROELECTRONICS  LM258D  运算放大器, 双路, 1.1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 30V, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器运算放大器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

电源电压(DC) 32.0 V 32.0 V 32.0 V

输出电流 60 mA 60 mA 40 mA

供电电流 700 µA 700 µA 700 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 8

共模抑制比 85 dB 85 dB 70 dB

带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

转换速率 600 mV/μs 600 mV/μs 600 mV/μs

增益频宽积 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

输入补偿电压 1 mV 2 mV 1 mV

输入偏置电流 20 nA 20 nA 20 nA

工作温度(Max) 105 ℃ 70 ℃ 105 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ 0 ℃ -40 ℃

增益带宽 1.1 MHz 1.1 MHz 1.1 MHz

共模抑制比(Min) 70 dB 70 dB 70 dB

电源电压 3V ~ 30V 3V ~ 30V 3V ~ 30V

耗散功率 - - 500 mW

电源电压(Max) - - 30 V

电源电压(Min) - - 3 V

长度 4.9 mm 4.9 mm 4.9 mm

宽度 3.9 mm 3.9 mm 4 mm

高度 1.65 mm 1.65 mm 1.25 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 105℃ 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -