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KM41C4000BP-7、TC514100APL-10、KM41C4002CP-8对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KM41C4000BP-7 TC514100APL-10 KM41C4002CP-8

描述 Fast Page DRAM, 4MX1, 70ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-184194304 Word X 1Bit Dynamic RAMStatic Column DRAM, 4MX1, 80ns, CMOS, PDIP18, PLASTIC, DIP-18

数据手册 ---

制造商 Samsung (三星) Toshiba (东芝) Samsung (三星)

分类

基础参数对比

封装 DIP DIP DIP

封装 DIP DIP DIP

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

RoHS标准 - RoHS Compliant -