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BLP8G10S-45PJ、BLP8G10S-45PY对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLP8G10S-45PJ BLP8G10S-45PY

描述 Trans Ldmos 45W 4hsopfTrans RF MOSFET N-CH 65V 4Pin HSOP-F T/R

数据手册 --

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

封装 SOT-1223-1 -

频率 952.5MHz ~ 957.5MHz -

输出功率 2.5 W -

增益 20.8 dB -

测试电流 224 mA -

额定电压 65 V -

封装 SOT-1223-1 -

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free