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J309、J309G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 J309 J309G

描述 JFET VHF / UHF放大器 JFET VHF/UHF AmplifiersJFET VHF / UHF放大器N沟道 - 耗尽 JFET VHF/UHF Amplifiers N-Channel - Depletion

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

引脚数 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3

频率 100 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 25.0 V 25.0 V

额定电流 10.0 mA 10.0 mA

击穿电压 - -

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 350 mW -

漏源极电压(Vds) 25.0 V 25.0 V

漏源击穿电压 - -

栅源击穿电压 25.0 V 25.0 V

连续漏极电流(Ids) - -

增益 16 dB 16 dB

测试电流 10 mA 10 mA

工作温度(Max) - -

工作温度(Min) - -

额定电压 25 V 25 V

长度 - -

宽度 - -

高度 - -

封装 TO-226-3 TO-226-3

工作温度 - -

产品生命周期 Unknown Unknown

包装方式 Box Box

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC标准 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99