IXFH10N100P、IXTT10N100D2、IXTT10N100D对比区别

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型号 IXFH10N100P IXTT10N100D2 IXTT10N100D

描述 TO-247 N-CH 1000V 10ATO-268 N-CH 1000V 10AMosfet n-Ch 1000V 10A To-268

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3

极性 N-CH N-CH -

耗散功率 380 W 695000 mW 400W (Tc)

阈值电压 6.5 V - -

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V 1000 V

连续漏极电流(Ids) 10A 10A -

上升时间 45 ns 36 ns -

输入电容(Ciss) 3030pF @25V(Vds) 5320pF @25V(Vds) 2500pF @25V(Vds)

下降时间 75 ns 164 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 380W (Tc) 695W (Tc) 400W (Tc)

封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-268-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free