IXUN280N10、IXUN350N10、IXFN360N10T对比区别

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型号 IXUN280N10 IXUN350N10 IXFN360N10T

描述 MOSFET N-CH 100V 280A SOT-227BSOT-227B N-CH 100V 350AIXFN 系列 单通道 N 沟道 100 Vds 2.6 mOhm 830 W 功率 MOSFET - SOT-227B

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

安装方式 Chassis - -

引脚数 - - 4

极性 - N-CH N-CH

耗散功率 770W (Tc) 830W (Tc) 830 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) - 350A 360A

输入电容(Ciss) 18000pF @25V(Vds) 27000pF @25V(Vds) 36000pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 770W (Tc) 830W (Tc) 830W (Tc)

漏源极电阻 - - 0.0026 Ω

阈值电压 - - 4.5 V

上升时间 - - 142 ns

下降时间 - - 26 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 SOT-227-4 SOT-227-4 SOT-227-4

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free