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JANTX1N5523B、JANTXV1N5523B-1、1N5523BLEADFREE对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JANTX1N5523B JANTXV1N5523B-1 1N5523BLEADFREE

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, HERMETIC SEALED PACKAGE-2Zener Diode, 5.1V V(Z), 5%, 0.4W, Silicon, Unidirectional, DO-35,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) M/A-Com Central Semiconductor

分类

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole -

封装 DO-35 DO-204AH -

耗散功率 500 mW - -

稳压值 5.1 V 5.1 V -

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

额定功率(Max) - 500 mW -

封装 DO-35 DO-204AH -

产品生命周期 Obsolete Active Active

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 - -