IRF7468TRPBF、NDS8425、IRF7468PBF对比区别

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型号 IRF7468TRPBF NDS8425 IRF7468PBF

描述 MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 40V; RDS(ON) 11.7 Milliohms; ID 9.4A; SO-8; PD 2.5W; VGS +/-1PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。INFINEON  IRF7468PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.4 A, 40 V, 15.5 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 40.0 V 20.0 V -

额定电流 9.40 A 7.40 A -

漏源极电阻 35 mΩ 0.022 Ω 0.0155 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

阈值电压 - 890 mV 2 V

漏源极电压(Vds) 40 V 20 V 40 V

漏源击穿电压 40 V 20.0 V -

栅源击穿电压 - ±8.00 V -

连续漏极电流(Ids) 9.40 A 7.40 A 9.4A

输入电容(Ciss) 2460pF @20V(Vds) 1098pF @15V(Vds) 2460pF @20V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 1 W 2.5 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)

额定功率 - - 2.5 W

针脚数 - - 8

上升时间 2.30 ns - 2.3 ns

下降时间 - - 3.8 ns

产品系列 IRF7468 - -

输入电容 2460pF @20V - -

长度 5 mm 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 1.5 mm 1.575 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -