MPLAD30KP51CAE3、MXPLAD30KP51CA、MXPLAD30KP51CAE3对比区别

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型号 MPLAD30KP51CAE3 MXPLAD30KP51CA MXPLAD30KP51CAE3

描述 51V 30000WTVS 30kW BIDIRECT PLADTVS 30kW BIDIRECT PLAD

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 二极管TVS二极管TVS二极管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SMD SMD SMD

引脚数 2 2 -

脉冲峰值功率 30000 W 30000 W 30000 W

最小反向击穿电压 56.7 V 56.7 V 56.7 V

耗散功率 30 kW - -

钳位电压 82.4 V 82.4 V -

最大反向电压（Vrrm） 51V - -

测试电流 5 mA 5 mA -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

工作结温 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ -

封装 SMD SMD SMD

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bag Bag -

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free