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SMDA12、SMDA12.T、SMDA12.TBT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SMDA12 SMDA12.T SMDA12.TBT

描述 Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 12V V(RWM), Unidirectional, 4Element, Silicon, MS-012AA, SOP-8Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 12V V(RWM), Unidirectional, 4Element, Silicon, MS-012AA, ROHS COMPLIANT, SOP-8SMDA 系列 24 V 150 pF 单向 表面贴装 TVS 二极管阵列 - SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Semtech Corporation

分类 分立器件TVS二极管

基础参数对比

安装方式 - - Surface Mount

引脚数 - 8 8

封装 SOIC SOIC SOIC-8

工作电压 - 12 V 12.0 V

电容 - - 150 pF

击穿电压 - - 13.3 V

钳位电压 - 24 V 24 V

测试电流 - - 1 mA

最大反向击穿电压 - - 13.3 V

脉冲峰值功率 - - 300 W

最小反向击穿电压 - - 13.3 V

击穿电压 - - 13.3 V

工作温度(Max) - - 125 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

耗散功率 - 300 W -

高度 - - 1.65 mm

封装 SOIC SOIC SOIC-8

工作温度 - - -55℃ ~ 125℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 - Each Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free