STW16NM50N、STW21NM50N对比区别

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型号 STW16NM50N STW21NM50N

描述 N沟道500 V - 0.21ヘ - 15 A MDmesh⑩ II功率MOSFET采用D2PAK - I2PAK - TO- 220 - TO- 247- TO- 220FP N-channel 500 V - 0.21 ヘ - 15 A MDmesh⑩ II Power MOSFET D2PAK - I2PAK - TO-220 - TO-247- TO-220FPN沟道500V - 0.15ヘ​​ - 18A TO- 220 / FP / D2 / I2PAK / TO- 247第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 500V - 0.15ヘ - 18A TO-220/FP/D2/I2PAK/TO-247 Second generation MDmesh⑩ Power MOSFET

数据手册 --

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - 3

耗散功率 125W (Tc) 140W (Tc)

漏源极电压(Vds) 500 V 500 V

输入电容(Ciss) 1200pF @50V(Vds) 1950pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 125W (Tc) 140W (Tc)

额定电压(DC) - 500 V

额定电流 - 18.0 A

漏源极电阻 - 150 mΩ

极性 - N-Channel

输入电容 - 1.95 nF

栅电荷 - 65.0 nC

漏源击穿电压 - 500 V

栅源击穿电压 - ±25.0 V

连续漏极电流(Ids) - 18.0 A

上升时间 - 18 ns

额定功率(Max) - 140 W

下降时间 - 30 ns

工作温度(Max) - 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown

包装方式 Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free