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DTA143ZSATP、RN2206、NTE2370对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DTA143ZSATP RN2206 NTE2370

描述 SPT PNP 50V 100mAMini PNP 50V 100mAPNP 50V 100mA

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Toshiba (东芝) NTE Electronics

分类 晶体管晶体管分立器件

基础参数对比

引脚数 - - 3

封装 SC-72 Mini TO-92

安装方式 Through Hole - -

极性 PNP PNP PNP

耗散功率 - - 200 mW

击穿电压(集电极-发射极) 50 V 50 V 50 V

集电极最大允许电流 100mA 100mA 100mA

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

增益带宽 - - 200 MHz

耗散功率(Max) - - 200 mW

额定电压(DC) -50.0 V - -

额定电流 -100 mA - -

高度 - - 3.2 mm

封装 SC-72 Mini TO-92

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Box - -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - -