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BAV99W、D1FJ10-5063、BAV99WT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAV99W D1FJ10-5063 BAV99WT

描述 Rectifier Diode肖特基二极管与整流器 1.0 Amp 100 Volt200mW 75V Plastic-Encapsulate Diode

数据手册 ---

制造商 Toshiba (东芝) Shindengen (新电元) Micro Commercial Components (美微科)

分类

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount -

封装 - Case 1F -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

长度 - 4.4 mm -

宽度 - 2.5 mm -

高度 - 1.9 mm -

封装 - Case 1F -

工作温度 - 150 ℃ -

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 - Lead Free -