IRFS4310TRLPBF、IRFS4310TRRPBF、IRFS4310PBF对比区别

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型号 IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRRPBF IRFS4310PBF

描述 HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 100V 130AN 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 330 W - 330 W

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.0056 Ω - 0.0056 Ω

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300 W 330 W 300 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 130A 130A 130A

上升时间 110 ns 110 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 7670pF @50V(Vds) 7670pF @50V(Vds) 7670pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

下降时间 78 ns 78 ns 78 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300000 mW

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 100 V

长度 10.67 mm 6.5 mm 10.67 mm

宽度 11.3 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 2.3 mm 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free