BSP613P、NDT2955、IRFL9014TRPBF对比区别
型号 BSP613P NDT2955 IRFL9014TRPBF
描述 Infineon SIPMOS® P 通道 MOSFET**Infineon** SIPMOS® 小信号 P 通道 MOSFET 具有多种功能，可能包括增强模式、连续漏极电流（约低至 80A）及宽工作温度范围。 SIPMOS 功率晶体管可用于多种应用，包括电信、eMobility、笔记本、直流/直流设备以及汽车工业。 · 符合 AEC Q101 标准（请参阅数据表） · 无铅引线电镀，符合 RoHS 标准 ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDT2955 晶体管, MOSFET, P沟道, -2.5 A, -60 V, 300 mohm, -10 V, 2.6 VMOS(场效应管)/IRFL9014TRPBF
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - 4 4
封装 SOT-223-4 TO-261-4 SOT-223
额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V
额定电流 -2.90 A -2.50 A -1.80 A
额定功率 - 3 W -
针脚数 - 4 -
漏源极电阻 - 0.095 Ω -
极性 P-CH P-Channel P-Channel
耗散功率 1.8W (Ta) 3 W 2.00 W
阈值电压 - 2.6 V -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60.0 V
漏源击穿电压 - -60.0 V -60.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 2.90 A 2.50 A 1.80 A
上升时间 - 10 ns 63.0 ns
输入电容(Ciss) 875pF @25V(Vds) 601pF @30V(Vds) -
额定功率(Max) - 1.1 W -
下降时间 - 6 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1.8W (Ta) 3W (Ta) -
输入电容 875 pF - -
栅电荷 33.0 nC - -
长度 40 mm 6.5 mm -
宽度 40 mm 3.56 mm -
高度 1.5 mm 1.6 mm -
封装 SOT-223-4 TO-261-4 SOT-223
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -
ECCN代码 - EAR99 -
香港进出口证 - NLR -