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SK32、SUP90N06-6M0P-E3对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SK32 SUP90N06-6M0P-E3

描述 Power Field-Effect Transistor, 70A I(D), 60V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220F, 3 PINMOSFET N-CH 60V 90A TO220AB

数据手册 --

制造商 FUJI (富士电机) Vishay Siliconix

分类 MOS管

基础参数对比

封装 TO-220 TO-220-3

安装方式 - Through Hole

封装 TO-220 TO-220-3

产品生命周期 Active Active

包装方式 - Tube

耗散功率 - 3.75W (Ta), 272W (Tc)

输入电容(Ciss) - 4700pF @30V(Vds)

耗散功率(Max) - 3.75W (Ta), 272W (Tc)

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

RoHS标准 - Non-Compliant

含铅标准 - Lead Free