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IRFP264、IRFP264PBF、STW52NK25Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFP264 IRFP264PBF STW52NK25Z

描述 Trans MOSFET N-CH 250V 38A 3Pin(3+Tab) TO-247ACTrans MOSFET N-CH 250V 38A 3Pin(3+Tab) TO-247ACSTMICROELECTRONICS  STW52NK25Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 26 A, 250 V, 33 mohm, 10 V, 3.75 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor Vishay Siliconix ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

引脚数 - - 3

通道数 1 - -

漏源极电阻 75 mΩ - 0.033 Ω

耗散功率 280 W 280W (Tc) 300 W

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V - 250 V

上升时间 99 ns - 75 ns

输入电容(Ciss) 4800pF @25V(Vds) 5400pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds)

下降时间 92 ns - 55 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 280W (Tc) 280W (Tc) 300000 mW

额定电压(DC) - - 250 V

额定电流 - - 52.0 A

针脚数 - - 3

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 3.75 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) - - 26.0 A

额定功率(Max) - - 300 W

长度 16.26 mm - 15.75 mm

宽度 5.3 mm - 5.15 mm

高度 21.46 mm - 20.15 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17