APT17N80SC3G、SPB17N80C3、STB18NM80对比区别

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型号 APT17N80SC3G SPB17N80C3 STB18NM80

描述 D3PAK N-CH 800V 17AINFINEON  SPB17N80C3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 3 VSTMICROELECTRONICS  STB18NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 0.25 ohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-268-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 800 V 800 V -

额定电流 17.0 A 17.0 A -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 208W (Tc) 227 W 190 W

输入电容 2.25 nF - -

栅电荷 90.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 800 V 800 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 17.0 A 17.0 A 17A

输入电容(Ciss) 2250pF @25V(Vds) 2300pF @100V(Vds) 2070pF @50V(Vds)

耗散功率(Max) 208W (Tc) 227W (Tc) 190W (Tc)

额定功率 - 227 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 - 0.25 Ω 0.25 Ω

阈值电压 - 3 V 4 V

上升时间 - 15 ns 28 ns

额定功率(Max) - 227 W 190 W

下降时间 - 12 ns 50 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -65 ℃

正向电压(Max) - - 1.6 V

封装 TO-268-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - 10.31 mm 10.75 mm

宽度 - 9.45 mm 10.4 mm

高度 - 4.57 mm 4.6 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -

香港进出口证 - NLR -