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BR24T256FJ-WE2、BR24T256FJ-WGE2、24AA256-I/SN对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BR24T256FJ-WE2 BR24T256FJ-WGE2 24AA256-I/SN

描述 电可擦除可编程只读存储器 I2C BUS(2-Wre) 256K SOP-J8 电可擦除可编程只读存储器EEPROM Serial-I2C 256Kbit 32K x 8 1.8V/5V 8Pin SOP-J Embossed T/RMICROCHIP  24AA256-I/SN  EEPROM, AEC-Q100, 256 Kbit, 32K x 8位, 400 kHz, I2C, SOIC, 8 引脚

数据手册 ---

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体) Microchip (微芯)

分类 EEPROM芯片EEPROM芯片EEPROM芯片

基础参数对比

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOP- SOIC-8

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 SOIC-8 SOP- SOIC-8

高度 1.38 mm - 1.25 mm

长度 - - 4.9 mm

宽度 - - 3.9 mm

工作温度 -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

频率 0.4 MHz - 0.4 MHz

供电电流 2.5 mA - 3 mA

时钟频率 400 kHz - 400 kHz

存取时间(Max) 900 ns - 900 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - -40 ℃

电源电压 1.6V ~ 5.5V - 1.7V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

电源电压(Min) 1.6 V - 1.7 V

电源电压(DC) - - 5.00 V, 5.50 V (max)

工作电压 - - 1.7V ~ 5.5V

针脚数 - - 8

存取时间 - - 900 ns

内存容量 - - 32000 B

输入电容 - - 10 pF

上升时间 - - 1000 ns

下降时间 - - 300 ns

ECCN代码 EAR99 - EAR99