1N750A、JAN1N750A-1、1N750A-TP对比区别

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型号 1N750A JAN1N750A-1 1N750A-TP

描述 Zener Diode 4.7V 0.5W(1/2W) 5% Do-35 CaseSILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODESDO-35 4.7V 0.5W(1/2W)

数据手册 ---

制造商 NTE Electronics Microsemi (美高森美) Micro Commercial Components (美微科)

分类 分立器件齐纳二极管

安装方式 - Through Hole Through Hole

引脚数 - 2 2

封装 - DO-35 DO-35

容差 - ±5 % -

正向电压 - 1.1V @200mA -

耗散功率 - 480 mW 500 mW

测试电流 - 20 mA -

稳压值 - 4.7 V 4.7 V

额定功率(Max) - 500 mW -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

封装 - DO-35 DO-35

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Bulk Bag Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - -