JANTX1N5518B-1、JANTXV1N5518B-1、1N5518B-1对比区别

高亮显示差异参数

型号 JANTX1N5518B-1 JANTXV1N5518B-1 1N5518B-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mWZener Diode, 3.3V V(Z), 5%, 0.5W, Silicon, Unidirectional, DO-35, DO-35, 2 PIN

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) M/A-Com

分类 齐纳二极管齐纳二极管

安装方式 Through Hole Through Hole -

封装 DO-35-2 DO-204AH -

引脚数 2 - -

容差 ±5 % ±5 % -

正向电压 1.1V @200mA 1.1V @200mA -

稳压值 3.3 V 3.3 V -

额定功率(Max) 500 mW 500 mW -

耗散功率 417 mW - -

测试电流 20 mA - -

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -65 ℃ - -

封装 DO-35-2 DO-204AH -

长度 5.08 mm - -

工作温度 -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃ -

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Bulk -

RoHS标准 RoHS Compliant -

含铅标准 -