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1N5804、JANTX1N5804、JAN1N5804对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5804 JANTX1N5804 JAN1N5804

描述 Diode Switching 100V 3.3A 2Pin Case G-111Diode Switching Diode 100V 2.5A 2Pin Case G-111军事批准的高效率2.5安培和6.0 AMP MILITARY APPROVED HIGH EFFICIENCY 2.5 AMP AND 6.0 AMP

数据手册 ---

制造商 Semtech Corporation Semtech Corporation Microsemi (美高森美)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 G-111 G-111 Case A

正向电压 875mV @1A 0.875 V 975mV @2.5A

反向恢复时间 25 ns 25 ns 25 ns

正向电流(Max) 3.3 A 3.3 A 2500 mA

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ 65 ℃

正向电流 - 3300 mA 2.5 A

正向电压(Max) - - 975mV @2.5A

封装 G-111 G-111 Case A

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

军工级 - - Yes

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -