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FDC5614P、FDC5614P_NL、FDC5614P_D87Z对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDC5614P FDC5614P_NL FDC5614P_D87Z

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDC5614P.  晶体管, MOSFET, P沟道, -3 A, -60 V, 105 mohm, -10 V, -1.6 V60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFETMOSFET P-CH 60V 3A 6SSOT

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

封装 TSOT-23-6 SuperSOT TSOT-23-6

引脚数 6 - -

通道数 - - 1

漏源极电阻 0.082 Ω - 105 mΩ

极性 P-Channel P-CH P-CH

耗散功率 1.6 W - 1.6 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

漏源击穿电压 -60.0 V - 60 V

连续漏极电流(Ids) 3.00 A 3A 3A

上升时间 10 ns - 10 ns

输入电容(Ciss) 759pF @30V(Vds) - 759pF @30V(Vds)

下降时间 12 ns - 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃

耗散功率(Max) 1.6W (Ta) - 1.6W (Ta)

额定电压(DC) -60.0 V - -

额定电流 -3.00 A - -

额定功率 1.6 W - -

针脚数 6 - -

输入电容 759 pF - -

栅电荷 15.0 nC - -

栅源击穿电压 ±20.0 V - -

额定功率(Max) 800 mW - -

长度 3 mm - 2.9 mm

宽度 1.7 mm - 1.6 mm

高度 1 mm - 1.1 mm

封装 TSOT-23-6 SuperSOT TSOT-23-6

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -