CY7C1041BNV33L-12ZXC、CY7C1041DV33-10ZSXI、IS61WV25616BLL-10TLI对比区别

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型号 CY7C1041BNV33L-12ZXC CY7C1041DV33-10ZSXI IS61WV25616BLL-10TLI

描述 256K ×16静态RAM 256K x 16 Static RAMRAM，Cypress Semiconductor### SRAM（静态随机存取存储器）RAM，ISSI**ISSI** 静态 RAM 产品使用高性能 CMOS 技术。 提供各种静态 RAM，其中包括 5V 高速异步 SRAM、高速低功率异步 SRAM、5V 低功率类型异步 SRAM、超低功率 CMOS 静态 RAM 和 PowerSaverTM 低功率异步 SRAM。 ISSI SRAM 设备提供各种电压、存储器大小和不同的组织。 它们适用于以下应用，如 CPU 缓存、嵌入式处理器、硬盘和工业电子开关。 电源：1.8V/3.3V/5V 提供的封装：BGA、SOJ、SOP、sTSOP、TSOP 提供的配置选择：x8 和 x16 ECC 功能可用于高速异步 SRAM ### SRAM（静态随机存取存储器）

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片RAM芯片RAM芯片

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 44 44 44

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

电源电压(DC) 5.00 V, 5.50 V (max) 3.00 V, 3.60 V (max) -

位数 16 16 16

存取时间 12 ns 10 ns 10 ns

存取时间(Max) 12 ns 10 ns 10 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 2.4V ~ 3.6V

频率 - 100 MHz -

工作电压 - 3V ~ 3.6V 3.3 V

针脚数 - 44 44

时钟频率 - 10.0 GHz -

内存容量 - 500000 B -

电源电压(Max) - 3.6 V -

电源电压(Min) - 3 V -

封装 TSOP-44 TSOP-44 TSOP-44

长度 - 18.52 mm 18.54 mm

宽度 - 10.26 mm 10.29 mm

高度 - 1.04 mm 1.05 mm

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 3A991.b.2.b - EAR99