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IRLI530N、IRLI530NPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRLI530N IRLI530NPBF

描述 TO-220FP N-CH 100V 12AINFINEON  IRLI530NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 11 A, 100 V, 100 mohm, 10 V, 2 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-220-3 TO-220-3

引脚数 - 3

额定电压(DC) 100 V -

额定电流 15.0 A -

漏源极电阻 100 mΩ (max) 0.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 41W (Tc) 33 W

产品系列 IRLI530N -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V

漏源击穿电压 100V (min) -

连续漏极电流(Ids) 12.0 A 12A

上升时间 53.0 ns 53 ns

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 41W (Tc) 41W (Tc)

额定功率 - 33 W

针脚数 - 3

阈值电压 - 2 V

下降时间 - 26 ns

工作温度(Max) - 175 ℃

封装 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bulk Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17