IRL3705ZPBF、STP80NF55L-06、STP60N55F3对比区别

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型号 IRL3705ZPBF STP80NF55L-06 STP60N55F3

描述 N沟道,55V,75A,8mΩ@10VSTMICROELECTRONICS  STP80NF55L-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 VN沟道55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO- 220 / FP的STripFET TM功率MOSFET N-channel 55V - 6.5mohm - 80A - DPAK - IPAK - D2PAK - TO-220/FP STripFET TM Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

额定电压(DC) 55.0 V 55.0 V -

额定电流 75.0 A 80.0 A -

漏源极电阻 12 mΩ 0.008 Ω -

极性 N-Channel N-Channel -

耗散功率 130 W 300 W 110 W

产品系列 IRL3705Z - -

输入电容 2880pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

漏源击穿电压 55.0 V 55.0 V -

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 80.0 A -

上升时间 240 ns 180 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 4850pF @25V(Vds) 2200pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 130 W 300 W 110 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

下降时间 - 80 ns 11.5 ns

耗散功率(Max) - 300W (Tc) 110W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3 V -

栅源击穿电压 - ±16.0 V -

长度 10.66 mm 10.4 mm -

高度 9.02 mm 15.75 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

宽度 - 4.6 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99