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BSO330N02KG、BSO330N02KGFUMA1、BSO330N02K对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSO330N02KG BSO330N02KGFUMA1 BSO330N02K

描述 OptiMOSTM2功率三极管 OptiMOSTM2 Power-TransistorDSO N-CH 20V 5.4APower Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 20V, 0.03ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, GREEN, PLASTIC, TDSON-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 8 8 -

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 2.50 W - -

漏源极电压(Vds) - 20 V -

连续漏极电流(Ids) - 5.4A -

上升时间 - 16.8 ns -

输入电容(Ciss) - 730pF @10V(Vds) -

额定功率(Max) - 1.4 W -

下降时间 - 2.8 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2500 mW -

封装 PG-DSO-8 PG-DSO-8 -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -