锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

JAN1N5623US、JANTXV1N5623US、1N5623US对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN1N5623US JANTXV1N5623US 1N5623US

描述 军事整流器 MILITARY RECTIFIERSDIODE GEN PURP 1kV 1A D5A标准整流器( TRR超过500ns的) Standard Rectifier (trr more than 500ns)

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 功率二极管功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 2

封装 SQ-MELF A-MELF A-MELF

正向电压 1.6V @3A 1.6V @3A 1.6V @3A

反向恢复时间 500 ns 500 ns 500 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

热阻 - - 13℃/W (RθJL)

正向电压(Max) - - 1.6V @3A

封装 SQ-MELF A-MELF A-MELF

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Bulk Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准

军工级 Yes - -

ECCN代码 - - EAR99