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DSA20C150PB、DSB30C60PB、SR10100对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DSA20C150PB DSB30C60PB SR10100

描述 IXYS SEMICONDUCTOR  DSA20C150PB  小信号肖特基二极管, 双共阴极, 150 V, 10 A, 740 mV, 80 A, 175 °CIXYS SEMICONDUCTOR DSB30C60PB Small Signal Schottky Diode, Dual Common Cathode, 60V, 15A, 690mV, 150A, 150℃Taiwan Semiconductor

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor Taiwan Semiconductor (台湾半导体)

分类 肖特基二极管二极管阵列

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

正向电压 880mV @10A 780mV @15A -

耗散功率 60 W 70 W -

正向电流 10 A 15 A 10 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 80 A 340 A 120 A

正向电压(Max) 740 mV 690 mV 850 mV

正向电流(Max) 20000 mA 30 A -

工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -

耗散功率(Max) 60000 mW 70000 mW -

针脚数 3 - -

长度 - 10.66 mm -

宽度 - 4.82 mm -

高度 - 16 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 - 55℃ ~ 125℃ -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -