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1N5532D-1、JANTXV1N5532D-1、JAN1N5532D-1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5532D-1 JANTXV1N5532D-1 JAN1N5532D-1

描述 无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW无铅封装用于表面安装齐纳二极管500mW的 LEADLESS PACKAGE FOR SURFACE MOUNT ZENER DIODE, 500mW

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Through Hole Through Hole

封装 DO-35 DO-35-2 DO-204AH

容差 - ±1 % ±1 %

正向电压 - 1.1V @200mA 1.1V @200mA

稳压值 - 12 V 12 V

额定功率(Max) - 500 mW 500 mW

封装 DO-35 DO-35-2 DO-204AH

长度 - 5.08 mm -

工作温度 - -65℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

RoHS标准 - RoHS Compliant

含铅标准 -