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IRGP50B60PD1、IRGP50B60PD1PBF、IRGP50B60PD1-EP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRGP50B60PD1 IRGP50B60PD1PBF IRGP50B60PD1-EP

描述 Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AC TubeINFINEON  IRGP50B60PD1PBF  单晶体管, IGBT, 75 A, 2.35 V, 390 W, 600 V, TO-247AC, 3 引脚Trans IGBT Chip N-CH 600V 75A 390000mW 3Pin(3+Tab) TO-247AD Tube

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247 TO-247-3 TO-3-3

额定功率 - 390 W 390 W

耗散功率 - 390 W 390000 mW

击穿电压(集电极-发射极) - 600 V 600 V

反向恢复时间 - 42 ns 42 ns

额定功率(Max) - 390 W 390 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 390000 mW 390000 mW 390000 mW

针脚数 - 3 -

极性 - N-Channel -

输入电容 - 3648 pF -

上升时间 - 10.0 ns -

热阻 - 40 ℃/W -

封装 TO-247 TO-247-3 TO-3-3

长度 - 15.9 mm -

宽度 - 5.3 mm -

高度 - 20.3 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Active Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99