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CY7C1354A-133BGC、CY7C1354A-133BGI、IDT71V65602S133BGGI对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 CY7C1354A-133BGC CY7C1354A-133BGI IDT71V65602S133BGGI

描述 256K ×36 / 512K ×18的SRAM流水线与NoBL⑩架构 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture256K ×36 / 512K ×18的SRAM流水线与NoBL⑩架构 256K x 36/512K x 18 Pipelined SRAM with NoBL⑩ ArchitectureZBT SRAM, 256KX36, 4.2ns, CMOS, PBGA119, 14 X 22 MM, PLASTIC, BGA-119

数据手册 ---

制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Device Technology (艾迪悌)

分类 RAM芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 119 119 -

封装 BGA BGA BGA

电源电压(DC) 3.30 V, 3.47 V (max) - -

时钟频率 133MHz (max) - -

存取时间 133 µs - -

内存容量 9000000 B - -

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ -

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -

电源电压 3.3 V 3.3 V -

高度 1.46 mm 1.46 mm -

封装 BGA BGA BGA

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Bulk - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free -