SI7456DP、FDB8443_F085、SI7456DP-T1-GE3对比区别

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型号 SI7456DP FDB8443_F085 SI7456DP-T1-GE3

描述 N-channel 100V (D-S) MOSFETMOSFET N-CH 40V 25A TO-263ABMOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8

数据手册 ---

制造商 Vishay Intertechnology Fairchild (飞兆/仙童) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

封装 - TO-263-3 SO-8

极性 - N-CH -

耗散功率 - 188 W 1.9W (Ta)

漏源极电压(Vds) - 40 V -

连续漏极电流(Ids) - 25A -

输入电容(Ciss) - 9310pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) - 188 W -

耗散功率(Max) - 188W (Tc) 1.9W (Ta)

封装 - TO-263-3 SO-8

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - 无铅 Lead Free