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BCV48、BCV48E6327、BCV48E6433对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BCV48 BCV48E6327 BCV48E6433

描述 PNP硅达林顿晶体管 PNP Silicon Darlington TransistorsSOT-89 PNP 60V 0.5ASmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 - 4 -

封装 SOT-89 SOT-89 -

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -500 mA -

极性 - PNP -

击穿电压(集电极-发射极) - 60 V -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -65 ℃ -

增益带宽 - 200 MHz -

耗散功率(Max) - 1000 mW -

额定功率 1 W - -

最小电流放大倍数(hFE) 2000 - -

封装 SOT-89 SOT-89 -

长度 4.50 mm - -

宽度 2.5 mm - -

高度 1.50 mm - -

产品生命周期 Not Recommended Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -

含铅标准 Lead Free Lead Free -